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APIGaN: Diseño y Desarrollo de Amplificador de Potencia de Nitruro de Galio (GaN)

Descripción del proyecto

Diseño y Desarrollo de Amplificador de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) para su uso en Sistemas de Radiofrecuencia compactos, ligeros, fiables y eficientes.

Compañías u organizaciones colaboradoras

Indra

Papel de Indra

Líder del proyecto

Tecnologías usadas

Nitruro de Galio: El nitruro de galio presenta propiedades intrínsecas muy recomendables para el diseño de amplificadores de potencia. Esta tecnología es capaz de dar potencias 10 veces mayores que otras tecnologías en estado sólido como el Arseniuro de Galio (GaAs), con un peso y espacio muy reducido. Además permite crear diseños con anchos de banda mayores, emplea voltajes altos (>50V), lo que implica corrientes más bajas y por lo tanto, menores pérdidas, mejores eficiencias y temperaturas más bajas.

Más información

Este Proyecto, con nº de expediente TSI-100103-2015-032, ha sido financiado por el Ministerio de Industria, Energía y Turismo (MINETUR) dentro del programa de Acción Estratégica Economía y Sociedad Digital Convocatoria (AEESD) 1/2015.

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    APIGaN: Diseño y Desarrollo de Amplificador de Potencia de Nitruro de Galio (GaN)
    APIGaN: Diseño y Desarrollo de Amplificador de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) | Innovación | Indra Group